|
|
物理学报 2010
Design and preparation of black-nickel film on the radiometer chip
|
Abstract:
对新型条形辐射探测芯片的吸收膜层进行了理论分析,并且在金刚石材质的探测芯片上采用电镀方法制备了镍磷黑吸收膜.辐射探测芯片的膜层吸收分析表明,芯片吸收膜层的吸收率正比于表面粗糙度.通过对辐射吸收膜层设计与制作工艺的研究,制备出一种用于条形辐射探测芯片的镍磷黑吸收膜,通过测量其表面形貌结构,表明该膜层具有50 nm—1.5 μm范围的微结构;红外吸收测试表明其吸收率在1.4—8 μm波段为0.989以上,从而提高了辐射探测芯片的性能.
