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物理学报 2009
First-principles study of the electonic structure of nitrogen-doped silicon carbide nanotubes
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Abstract:
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算，对本征碳化硅纳米管和掺氮碳化硅纳米管的电子结构进行了计算.计算表明本征（8,0）碳化硅为直接带隙半导体，能带间隙为0.94 eV；掺氮浓度为1.56%和3.12％的碳化硅纳米管的能带间隙减小为0.83 eV和0.74 eV.从差分电荷密度可以看出，能带间隙的减小是氮硅键与碳硅键相比共价成键能力降低的结果.
