%0 Journal Article
%T First-principles study of the electonic structure of nitrogen-doped silicon carbide nanotubes<br>掺氮碳化硅纳米管电子结构的第一性原理研究
%A Song Jiu-Xu
%A Yang Yin-Tang
%A Liu Hong-Xia
%A Zhang Zhi-Yong
%A <br>宋久旭
%A 杨银堂
%A 刘红霞
%A 张志勇
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算，对本征碳化硅纳米管和掺氮碳化硅纳米管的电子结构进行了计算.计算表明本征（8,0）碳化硅为直接带隙半导体，能带间隙为0.94 eV；掺氮浓度为1.56%和3.12％的碳化硅纳米管的能带间隙减小为0.83 eV和0.74 eV.从差分电荷密度可以看出，能带间隙的减小是氮硅键与碳硅键相比共价成键能力降低的结果.
%K silicon carbide nanotubes
%K nitrogen-doped
%K first-principles
%K electronic structures<br>碳化硅纳米管，
%K 掺氮，
%K 第一性原理，
%K 电子结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=7557AB528DC9A2437CB90D5542C44074&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=5C8B1CAD650B5133&eid=E4DF5801EF645EE7&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0