Characterization of the transparent n-type ZnO ceramic with low resistivity prepared under high pressure
高压下制备的透明低阻n-ZnO陶瓷的表征

本文报道了高压烧结透明低阻ZnO陶瓷的过程,解决了常压下烧结ZnO高阻不透明的问题.在5GPa,800℃下获得了最佳光电性能的低阻透明ZnO陶瓷,其透过率为49%左右,电阻率为0.57Ω·cm,禁带宽度为3.31eV,载流子浓度为8.36×1017cm-3,迁移率为23cm2·V-1·s-1,良好的n型导电性来自于Zni和Vo施主缺陷的贡献.本文的结果对ZnO陶瓷在紫外发光等光电子器件领域的应用具有重要意义.