%0 Journal Article
%T Characterization of the transparent n-type ZnO ceramic with low resistivity prepared under high pressure<br>高压下制备的透明低阻n-ZnO陶瓷的表征
%A Qin Jie-Ming
%A Zhang Ying
%A Cao Jian-Ming
%A Tian Li-Fei
%A Dong Zhong-Wei
%A Li Yue
%A <br>秦杰明
%A 张莹
%A 曹建明
%A 田立飞
%A 董中伟
%A 李岳
%J 物理学报
%D 2011
%I 
%X 本文报道了高压烧结透明低阻ZnO陶瓷的过程,解决了常压下烧结ZnO高阻不透明的问题.在5GPa,800℃下获得了最佳光电性能的低阻透明ZnO陶瓷,其透过率为49%左右,电阻率为0.57Ω·cm,禁带宽度为3.31eV,载流子浓度为8.36×1017cm-3,迁移率为23cm2·V-1·s-1,良好的n型导电性来自于Zni和Vo施主缺陷的贡献.本文的结果对ZnO陶瓷在紫外发光等光电子器件领域的应用具有重要意义.
%K high pressure
%K ceramic
%K n-type ZnO
%K transparent<br>高压
%K 陶瓷
%K n-ZnO
%K 透明
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=25BC0FE2C098E54EFDE721F74C721EFC&yid=9377ED8094509821&vid=BFE7933E5EEA150D&iid=38B194292C032A66&sid=EE338BD3AEF47D6B&eid=8D75AD3BD0D1BCC5&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=14