First-principles study of atomic and electronic structures of the silicon oxide clusters on Si(001) surfaces
Si(001)表面硅氧团簇原子与电子结构的第一性原理研究

在周期性边界条件下的k空间中，采用基于密度泛函理论的第一性原理广义梯度近似方法，对建立的规则对称型结构（A）、周期性非对称型结构（B）、周期性非对称型结构（C）、不规则型结构（D）四种可能的Si（001）表面硅氧团簇的结构模型进行了优化计算.结果表明优化后的表面结构呈无定形状，并且优化后的B，C，D三种模型的表面结构具有类似SiO2的四面体结构的几何特征.此外，通过电子局域函数图以及Mulliken布居分析发现硅氧团簇中的Si—O键既有明显的离子键成分，也有一定的共价键成分.