%0 Journal Article
%T First-principles study of atomic and electronic structures of the silicon oxide clusters on Si(001) surfaces<br>Si(001)表面硅氧团簇原子与电子结构的第一性原理研究
%A Yang Chong
%A Yang Chun
%A <br>杨冲
%A 杨春
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 在周期性边界条件下的k空间中，采用基于密度泛函理论的第一性原理广义梯度近似方法，对建立的规则对称型结构（A）、周期性非对称型结构（B）、周期性非对称型结构（C）、不规则型结构（D）四种可能的Si（001）表面硅氧团簇的结构模型进行了优化计算.结果表明优化后的表面结构呈无定形状，并且优化后的B，C，D三种模型的表面结构具有类似SiO2的四面体结构的几何特征.此外，通过电子局域函数图以及Mulliken布居分析发现硅氧团簇中的Si—O键既有明显的离子键成分，也有一定的共价键成分.
%K Si（001）表面，
%K 硅氧团簇，
%K 密度泛函理论，
%K 第一性原理
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=0AC7781BCDC896C1AB1409B38DA1D9D4&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=5D311CA918CA9A03&sid=04E3A365DB8BC011&eid=59C0B3FE8F2325F5&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0