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物理学报 2010
Effect of Ni thickness on the contact properties of Ni/6H-SiC analyzed by combinatorial method
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Abstract:
采用组合材料方法研究了金属Ni膜厚对Ni/SiC接触性质的影响.16个膜厚均为18 nm的Ni/SiC电极具有较为一致的肖特基接触性质；膜厚从10 nm增加到160 nm，肖特基接触的电流-电压（I-V）曲线随膜厚发生显著变化.分析表明这种变化源于膜厚对理想因子n和有效势垒高度ФB的影响.1000℃快速退火后，这些肖特基接触都转变为欧姆接触，Ni2Si是主要的生成物.I-V曲线测
