%0 Journal Article
%T Effect of Ni thickness on the contact properties of Ni/6H-SiC analyzed by combinatorial method<br>组合材料方法研究膜厚对Ni/SiC电极接触性质的影响
%A Huang Wei
%A Chen Zhi-Zhan
%A Chen Yi
%A Shi Er-Wei
%A Zhang Jing-Yu
%A Liu Qing-Feng
%A Liu Qian
%A <br>黄维
%A 陈之战
%A 陈义
%A 施尔畏
%A 张静玉
%A 刘庆峰
%A 刘茜
%J 物理学报
%D 2010
%I 
%X 采用组合材料方法研究了金属Ni膜厚对Ni/SiC接触性质的影响.16个膜厚均为18 nm的Ni/SiC电极具有较为一致的肖特基接触性质；膜厚从10 nm增加到160 nm，肖特基接触的电流-电压（I-V）曲线随膜厚发生显著变化.分析表明这种变化源于膜厚对理想因子n和有效势垒高度ФB的影响.1000℃快速退火后，这些肖特基接触都转变为欧姆接触，Ni2Si是主要的生成物.I-V曲线测
%K 碳化硅，
%K 肖特基接触，
%K 欧姆接触，
%K 组合材料方法
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=1A62045B6CE7DC01CDF912D0F1A0D54D&yid=140ECF96957D60B2&vid=6AC2A205FBB0EF23&iid=94C357A881DFC066&sid=1A54CC015C668D6E&eid=E04236EBB6540093&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=29