|
|
物理学报 2009
Non-Gaussianity of noise in n-type metal oxide semiconductor field effect transistor
|
Abstract:
基于n型金属氧化物半导体场效应晶体管（nMOSFET）噪声的数涨落模型，采用高阶统计量双相干系数平方和研究了nMOSFET噪声的非高斯性.通过对nMOSFET实际测试噪声的分析，发现nMOSFET器件噪声存在非高斯性；小尺寸器件噪声的非高斯性强于大尺寸器件；在器件的强反型线性区，其非高斯性随着漏压的增加而增加.文中还通过蒙特卡罗模拟和中心极限定理理论对nMOSFET噪声的非高斯性作了深入的探讨.
