%0 Journal Article
%T Non-Gaussianity of noise in n-type metal oxide semiconductor field effect transistor<br>n型金属氧化物半导体场效应晶体管噪声非高斯性研究
%A Li Wei-Hu
%A Zhuang Yi-Qi
%A Du Lei
%A Bao Jun-Lin
%A <br>李伟华
%A 庄奕琪
%A 杜磊
%A 包军林
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 基于n型金属氧化物半导体场效应晶体管（nMOSFET）噪声的数涨落模型，采用高阶统计量双相干系数平方和研究了nMOSFET噪声的非高斯性.通过对nMOSFET实际测试噪声的分析，发现nMOSFET器件噪声存在非高斯性；小尺寸器件噪声的非高斯性强于大尺寸器件；在器件的强反型线性区，其非高斯性随着漏压的增加而增加.文中还通过蒙特卡罗模拟和中心极限定理理论对nMOSFET噪声的非高斯性作了深入的探讨.
%K 噪声，
%K 非高斯性，
%K n型金属氧化物半导体场效应晶体管，
%K 氧化层陷阱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=CB4F9FAC8493ABF109058268EECAD346&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=8B50F873C5C14E17&eid=A6B84DA89E3CB6E2&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0