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物理学报 2009
Effects of Ti ion implantation and post-thermal annealing on the structural and optical properties of ZnS films
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Abstract:
利用真空蒸发法在石英玻璃衬底上制备了ZnS薄膜，将能量80 keV，剂量1×1017 cm-2的Ti离子注入到薄膜中，并将注入后的ZnS薄膜进行退火处理，退火温度500—700 ℃.利用X射线衍射（XRD）研究了薄膜结构的变化，利用光致发光（PL）和光吸收研究了薄膜光学性质的变化.XRD结果显示，衍射峰在500 ℃退火1 h后有一定程度的恢复；光吸收结果显示，离子注入后光吸收增强，随着退火温度的上升，光吸收逐渐降低，吸收边随着退火温度的提高发生蓝移；PL显示，薄
