%0 Journal Article
%T Effects of Ti ion implantation and post-thermal annealing on the structural and optical properties of ZnS films<br>Ti离子注入和退火对ZnS薄膜结构和光学性质的影响
%A Su Hai-Qiao
%A Xue Shu-Wen
%A Chen Meng
%A Li Zhi-Jie
%A Yuan Zhao-Lin
%A Fu Yu-Jun
%A Zu Xiao-Tao
%A <br>苏海桥
%A 薛书文
%A 陈猛
%A 李志杰
%A 袁兆林
%A 付玉军
%A 祖小涛
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 利用真空蒸发法在石英玻璃衬底上制备了ZnS薄膜，将能量80 keV，剂量1×1017 cm-2的Ti离子注入到薄膜中，并将注入后的ZnS薄膜进行退火处理，退火温度500—700 ℃.利用X射线衍射（XRD）研究了薄膜结构的变化，利用光致发光（PL）和光吸收研究了薄膜光学性质的变化.XRD结果显示，衍射峰在500 ℃退火1 h后有一定程度的恢复；光吸收结果显示，离子注入后光吸收增强，随着退火温度的上升，光吸收逐渐降低，吸收边随着退火温度的提高发生蓝移；PL显示，薄
%K ZnS thin films
%K ion implantation
%K x-ray diffraction
%K photoluminescence<br>ZnS薄膜
%K 离子注入
%K X射线衍射，
%K 光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=89018403AE752628FC920B42BD585A05&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=81A693BEE7B88179&eid=6A2C9E50CFC43823&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0