Preparation of SiOx nanowires in different atmosphere, their morphology, PL and FTIR properties
不同气氛下SiOx纳米线的制备及形貌、红外、光致发光研究

以N2/H2、N2或NH3为载气，利用碳辅助化学气相沉积法，常压1140℃下在石英衬底上制备了大量直径为20—300 nm，长数百微米的非晶SiOx纳米线.制备得到的纳米线具有高度定向生长的特性.利用透射电子显微镜、扫描电子显微镜及电子能谱对SiOx纳米线的形貌及组分进行了分析，Si与O原子之比为1∶18.傅里叶红外吸收谱显示了非晶氧化硅的三个特征峰（482，806和1095 cm-1）及1132 cm-1无序氧化硅结构的强吸收峰.SiOx纳米线光致发光光谱（PL）在440 nm（283 eV）处具有较强的荧光峰；N2为载气生长的SiOx纳米线的PL峰强比NH3为载气生长的SiOx纳米线峰强大四个数量级.