%0 Journal Article
%T Preparation of SiOx nanowires in different atmosphere, their morphology, PL and FTIR properties<br>不同气氛下SiOx纳米线的制备及形貌、红外、光致发光研究
%A Zheng Li-Ren
%A Huang Bai-Biao
%A Wei Ji-Yong
%A <br>郑立仁
%A 黄柏标
%A 尉吉勇
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 以N2/H2、N2或NH3为载气，利用碳辅助化学气相沉积法，常压1140℃下在石英衬底上制备了大量直径为20—300 nm，长数百微米的非晶SiOx纳米线.制备得到的纳米线具有高度定向生长的特性.利用透射电子显微镜、扫描电子显微镜及电子能谱对SiOx纳米线的形貌及组分进行了分析，Si与O原子之比为1∶18.傅里叶红外吸收谱显示了非晶氧化硅的三个特征峰（482，806和1095 cm-1）及1132 cm-1无序氧化硅结构的强吸收峰.SiOx纳米线光致发光光谱（PL）在440 nm（283 eV）处具有较强的荧光峰；N2为载气生长的SiOx纳米线的PL峰强比NH3为载气生长的SiOx纳米线峰强大四个数量级.
%K SiOx纳米线，
%K 碳辅助化学气相沉积法，
%K 傅里叶红外吸收，
%K 光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=8D993AED54D00D26CECC44F80B922E25&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=E158A972A605785F&sid=62430EC5AE2C2006&eid=32410D58B7F4395D&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0