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物理学报 2009
Localized electron state on porous silicon quantum dots
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Abstract:
经过激光辐照和高温退火加工能够生成多孔硅样品，在650—780 nm处检测到很强的光致荧光（PL）峰，并且有明显的钉扎和增强效应.实验表明，这种PL发光的强度与样品受辐照和退火的时间短密切相关.通过第一性原理模拟计算发现，样品表面用SiO 双键和Si—O—Si桥键钝化，能隙中会出现电子局域态.激光辐照和高温退火的时间长短决定了样品表面SiO双键和Si—O—Si桥键的密度，而该密度正是影响多孔硅量子点中电子局域态生成的关键.
