%0 Journal Article
%T Localized electron state on porous silicon quantum dots<br>多孔硅量子点中的电子局域态
%A Huang Wei-Qi
%A Wang Xiao-Yun
%A Zhang Rong-Tao
%A Yu Shi-Qiang
%A Qin Chao-Jian
%A <br>黄伟其
%A 王晓允
%A 张荣涛
%A 于示强
%A 秦朝建
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 经过激光辐照和高温退火加工能够生成多孔硅样品，在650—780 nm处检测到很强的光致荧光（PL）峰，并且有明显的钉扎和增强效应.实验表明，这种PL发光的强度与样品受辐照和退火的时间短密切相关.通过第一性原理模拟计算发现，样品表面用SiO 双键和Si—O—Si桥键钝化，能隙中会出现电子局域态.激光辐照和高温退火的时间长短决定了样品表面SiO双键和Si—O—Si桥键的密度，而该密度正是影响多孔硅量子点中电子局域态生成的关键.
%K porous silicon quantum dot
%K passivated bond
%K localized gap state<br>多孔硅量子点，
%K 硅氧钝化键，
%K 电子局域态
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=46B6F13EC0749DB1BEECF702DA582E01&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=528AF3E71ECF5D97&eid=17EE79B5DE05E1FF&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0