First-principles study on the effects of the concentration of Al-2N high codoping on the electric conducting performance of ZnO
Al-2N高共掺浓度对ZnO半导体导电性能影响的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论（DFT）框架下的第一性原理平面波超软赝势方法，在同等环境条件下，建立了不同大小的ZnO模型，在ZnO中对不同浓度的氮和铝原子进行了高掺杂，并对低温条件下高掺杂氮和铝原子的ZnO半导体进行了态密度计算，然后分别对进入价带的相对空穴数和空穴散射迁移率进行了计算，最后对电导率进行了类比，发现适量低浓度的高掺杂氮和铝原子会使ZnO半导体的导电性能增强.即在低温高掺杂氮和铝原子的条件下，ZnO半导体的电导率不仅与掺杂氮和铝原子浓度有关，而且和进入价带的相对空穴数有关.和空穴散射的迁移率有关的结