%0 Journal Article
%T First-principles study on the effects of the concentration of Al-2N high codoping on the electric conducting performance of ZnO<br>Al-2N高共掺浓度对ZnO半导体导电性能影响的第一性原理研究
%A Hou Qing-Yu
%A Zhao Chun-Wang
%A Jin Yong-Jun
%A <br>侯清玉
%A 赵春旺
%A 金永军
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 采用基于密度泛函理论（DFT）框架下的第一性原理平面波超软赝势方法，在同等环境条件下，建立了不同大小的ZnO模型，在ZnO中对不同浓度的氮和铝原子进行了高掺杂，并对低温条件下高掺杂氮和铝原子的ZnO半导体进行了态密度计算，然后分别对进入价带的相对空穴数和空穴散射迁移率进行了计算，最后对电导率进行了类比，发现适量低浓度的高掺杂氮和铝原子会使ZnO半导体的导电性能增强.即在低温高掺杂氮和铝原子的条件下，ZnO半导体的电导率不仅与掺杂氮和铝原子浓度有关，而且和进入价带的相对空穴数有关.和空穴散射的迁移率有关的结
%K ZnO半导体，
%K 浓度，
%K 电导率，
%K 第一性原理
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=2EE1C5D982DAB689365775F8913FCB14&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=D1BDD9CF76824FCF&eid=DF3F378802A36FE6&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0