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物理学报 2009
A physical-model of small-signal InP-based double heterojunction bipolar transistors and its parameter extraction technique
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Abstract:
研究了InP双异质结双极晶体管（DHBT）的能带结构对集电极电容的影响，解决了传统方法不能准确提取InP DHBT集电极电容的问题.考虑了基极-发射极和集电极-发射极引线间的交叠电容，并从物理上区分了InP DHBT的本征电阻、外部电阻与寄生电阻，建立了一个基于物理的InP基DHBT小信号模型.同时提出了一套直接提取模型参数的方法，该方法无需引入数学优化，具有清晰的物理意义.提取的结果在很宽的偏置范围内准确地拟合了器件特性，验证了模型的准确性与提取方法的有效性.
