%0 Journal Article
%T A physical-model of small-signal InP-based double heterojunction bipolar transistors and its parameter extraction technique<br>一种InP双异质结双极晶体管小信号物理模型及其提取方法
%A Ge Ji
%A Jin Zhi
%A Su Yong-Bo
%A Cheng Wei
%A Liu Xin-Yu
%A Wu De-Xin
%A <br>葛霁
%A 金智
%A 苏永波
%A 程伟
%A 刘新宇
%A 吴德馨
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 研究了InP双异质结双极晶体管（DHBT）的能带结构对集电极电容的影响，解决了传统方法不能准确提取InP DHBT集电极电容的问题.考虑了基极-发射极和集电极-发射极引线间的交叠电容，并从物理上区分了InP DHBT的本征电阻、外部电阻与寄生电阻，建立了一个基于物理的InP基DHBT小信号模型.同时提出了一套直接提取模型参数的方法，该方法无需引入数学优化，具有清晰的物理意义.提取的结果在很宽的偏置范围内准确地拟合了器件特性，验证了模型的准确性与提取方法的有效性.
%K InP double heterojunction bipolar transistor
%K base-collector capacitance
%K small-signal model
%K parameter extraction<br>InP双异质结双极晶体管，
%K 集电极电容，
%K 小信号模型，
%K 参数提取
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=84C799A2C88D24194C9C8570F6B6D16D&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=59906B3B2830C2C5&sid=C3A52CF6BD7C5293&eid=1CA0F0F168A2D398&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=0