High sensitivity slow light interferometer based on dispersive property of Ⅲ-Ⅴ and Ⅱ-Ⅵ semiconductor materials
基于Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料色散特性的高灵敏度慢光干涉仪

Keywords: 干涉仪,非线性光学,Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料

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Abstract:

分析了Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的光学特性,证明半导体慢光介质不但可以提高干涉仪的光谱灵敏度,而且可以获得远大于气体慢光介质的工作光谱范围.实验证明,基于慢光介质GaAs的干涉仪光谱灵敏度相对于传统的干涉仪提高约3.2倍.

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