%0 Journal Article
%T High sensitivity slow light interferometer based on dispersive property of Ⅲ-Ⅴ and Ⅱ-Ⅵ semiconductor materials<br>基于Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料色散特性的高灵敏度慢光干涉仪
%A Cai Yuan-Xue
%A Zhang Yun-Dong
%A Dang Bo-Shi
%A Wu Hao
%A Wang Jin-Fang
%A Yuan Ping
%A <br>蔡元学
%A 掌蕴东
%A 党博石
%A 吴昊
%A 王金芳
%A 袁萍
%J 物理学报
%D 2011
%I 
%X 分析了Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的光学特性,证明半导体慢光介质不但可以提高干涉仪的光谱灵敏度,而且可以获得远大于气体慢光介质的工作光谱范围.实验证明,基于慢光介质GaAs的干涉仪光谱灵敏度相对于传统的干涉仪提高约3.2倍.
%K 干涉仪
%K 非线性光学
%K Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=587C605D51473C71C3253DF614602A1C&yid=9377ED8094509821&vid=BFE7933E5EEA150D&iid=E158A972A605785F&sid=331211A5F5616413&eid=D767283A3B658885&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=13