Properties of La and V codoped Bi4Ti3O12 thin film prepared by sol-gel method
La，V共掺杂的Bi4Ti3O12铁电薄膜的溶胶-凝胶法制备及性能测试

采用溶胶-凝胶（sol-gel）工艺在Pt/TiO2/SiO2/p-Si（100）衬底上制备出Bi4Ti3O12（BIT）和Bi3.25La0.75Ti2.97V0.03O12（BLTV）铁电薄膜，研究了La，V共掺杂对BIT薄膜的晶体结构和电学性能的影响.BIT薄膜为c轴择优取向，BLTV薄膜为随机取向，拉曼光谱分析表明V掺杂降低了TiO6（或VO6）八面体的对称性，也增强了Ti—O键（或V—O键）杂化.BLTV薄膜的剩余极化Pr为25.4 μC/cm2，远大于BIT薄膜的9.2 μC/cm2，表现出良好的铁电性能.疲劳、漏电流测试显示BLTV薄膜具有优良的抗疲劳特性和漏电流特性，表明La，V共掺杂能有效地降低薄膜中的氧空位.