%0 Journal Article
%T Properties of La and V codoped Bi4Ti3O12 thin film prepared by sol-gel method<br>La，V共掺杂的Bi4Ti3O12铁电薄膜的溶胶-凝胶法制备及性能测试
%A Li Jian-Jun
%A Yu Jun
%A Li Ji
%A Wang Meng
%A Li Yu-Bin
%A Wu Yun-Yi
%A Gao Jun-Xiong
%A Wang Yun-Bo
%A <br>李建军
%A 于军
%A 李佳
%A 王梦
%A 李玉斌
%A 吴云翼
%A 高俊雄
%A 王耘波
%J 物理学报
%D 2010
%I 
%X 采用溶胶-凝胶（sol-gel）工艺在Pt/TiO2/SiO2/p-Si（100）衬底上制备出Bi4Ti3O12（BIT）和Bi3.25La0.75Ti2.97V0.03O12（BLTV）铁电薄膜，研究了La，V共掺杂对BIT薄膜的晶体结构和电学性能的影响.BIT薄膜为c轴择优取向，BLTV薄膜为随机取向，拉曼光谱分析表明V掺杂降低了TiO6（或VO6）八面体的对称性，也增强了Ti—O键（或V—O键）杂化.BLTV薄膜的剩余极化Pr为25.4 μC/cm2，远大于BIT薄膜的9.2 μC/cm2，表现出良好的铁电性能.疲劳、漏电流测试显示BLTV薄膜具有优良的抗疲劳特性和漏电流特性，表明La，V共掺杂能有效地降低薄膜中的氧空位.
%K Bi4Ti3O12薄膜，
%K Bi3.25La0.75Ti2.97V0.03O12薄膜，
%K 溶胶-凝胶工艺，铁电性能
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6e709dc38fa1d09a4b578dd0906875b5b44d4d294832bb8e&cid=47ea7cfddebb28e0&jid=29df2cb55ef687e7efa80dfd4b978260&aid=c0254905753e27f95fd322fc8a2efaf5&yid=140ecf96957d60b2&vid=6ac2a205fbb0ef23&iid=0b39a22176ce99fb&sid=c612d3f3e4ffe289&eid=f225282e8f5f1cbb&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0