全部 标题 作者
关键词 摘要

OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
投递稿件

查看量下载量

相关文章

更多...
物理学报  2008 

Influence of annealing on the properties of Mn and N co-doped Zn0.88Mn0.12O:N films
退火对Mn和N共掺杂的Zn0.88Mn0.12O:N薄膜特性的影响

Keywords: ZnO thin film,Mn and N co-doping,electrical properties,magnetic properties
ZnO薄膜，,Mn和N共掺杂，,电学特性，,磁特性

Full-Text   Cite this paper   Add to My Lib

Abstract:

以NH3为掺N源，采用电子束反应蒸发技术生长了Mn和N共掺杂的Zn1-xMnxO:N薄膜，生长温度为300℃，然后在O2气氛中400℃退火0.5 h.X射线衍射测量表明，Zn0.88Mn0.12O(Mn掺杂)薄膜或Zn0.88Mn0.12O:N(Mn和N共掺杂)薄膜仍具有单一晶相纤锌矿结构，未检测到杂质相

Full-Text

Contact Us

service@oalib.com

QQ:3279437679

WhatsApp +8615387084133