60Co γ-射线辐照对肖特基二极管1/f噪声的影响

在肖特基二极管(Schottky barrier diode，SBD)辐照损伤机理和总剂量效应分析的基础上，利用1/f噪声的迁移率涨落和载流子数涨落模型，深入研究辐照损伤对器件1/f噪声的影响. 研究结果表明，辐照诱生新的界面态，改变界面态密度分布，进而调制了肖特基势垒高度，增大表面复合速度是引起器件性能退化主要原因，也是1/f噪声剧烈增加的主要原因. 正因为如此，噪声与器件退化存在相关性，即噪声拟合参数B越大，偏离标准值越多，器件可靠性越差，抗辐照