%0 Journal Article
%T 60Co γ-射线辐照对肖特基二极管1/f噪声的影响
%A 杨丽侠
%A 杜 磊
%A 包军林
%A 庄奕琪
%A 陈晓东
%A 李群伟
%A 张 莹
%A 赵志刚
%A 何 亮
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 在肖特基二极管(Schottky barrier diode，SBD)辐照损伤机理和总剂量效应分析的基础上，利用1/f噪声的迁移率涨落和载流子数涨落模型，深入研究辐照损伤对器件1/f噪声的影响. 研究结果表明，辐照诱生新的界面态，改变界面态密度分布，进而调制了肖特基势垒高度，增大表面复合速度是引起器件性能退化主要原因，也是1/f噪声剧烈增加的主要原因. 正因为如此，噪声与器件退化存在相关性，即噪声拟合参数B越大，偏离标准值越多，器件可靠性越差，抗辐照
%K 肖特基二极管，
%K 1/f噪声，
%K 60Co
%K γ射线，
%K 界面态
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=8CC1EED79CA9CD46DA8AD9C6DCC2B4B4&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=430E7FE82421D892&eid=35E531C7D7354A0E&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0