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物理学报 2009
Activation of room-temperature ferromagnetism in Mn doped ZnO thin films by N codoping
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Abstract:
使用对Zn2N3:Mn薄膜热氧化的方法成功制备了高含N量的Mn和N共掺ZnO的稀磁半导体薄膜.在没有N离子共掺的情况下，ZnO:Mn薄膜的铁磁性非常微弱；如果进行N离子的共掺杂，就会发现ZnO:Mn薄膜在室温下表现出非常明显的铁磁性，饱和离子磁矩为0.23 μB—0.61 μB.这说明N的共掺激发了ZnO:Mn薄膜中的室温铁磁性，也就是受主的共掺引起的空穴有利于ZnO中二价Mn离子的铁磁性耦合，这和最近的相关理论研究符合很好.
