%0 Journal Article
%T Activation of room-temperature ferromagnetism in Mn doped ZnO thin films by N codoping<br>Mn和N共掺ZnO稀磁半导体薄膜的研究
%A 邹文琴
%A 路忠林
%A 王申
%A 刘圆
%A 陆路
%A 郦莉
%A 张凤鸣
%A 都有为
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 使用对Zn2N3:Mn薄膜热氧化的方法成功制备了高含N量的Mn和N共掺ZnO的稀磁半导体薄膜.在没有N离子共掺的情况下，ZnO:Mn薄膜的铁磁性非常微弱；如果进行N离子的共掺杂，就会发现ZnO:Mn薄膜在室温下表现出非常明显的铁磁性，饱和离子磁矩为0.23 μB—0.61 μB.这说明N的共掺激发了ZnO:Mn薄膜中的室温铁磁性，也就是受主的共掺引起的空穴有利于ZnO中二价Mn离子的铁磁性耦合，这和最近的相关理论研究符合很好.
%K 磁性半导体，
%K 受主掺杂，
%K 空穴媒介的铁磁性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=7686DC052D020C076102333EBD1EF96B&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=5D311CA918CA9A03&sid=DEFCEBBACAF54B32&eid=F883DEEC9E40B4CE&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=0