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物理学报 2009
Hole transport in polymer P3HT with different annealing temperatures
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Abstract:
运用交流阻抗方法系统研究了单空穴注入型器件ITO/PEDOT/P3HT/Ag（P3HT：poly（3-hexylthiophene））在多种退火温度下的电容-频率变化关系，推算出样品中相应条件下的空穴迁移率，发现退火温度对空穴迁移率有明显影响，未经过退火的样品空穴迁移率为10-4cm2/Vs数量级，迁移率数值基本不随电场强度的改变而变化，退火后样品的空穴迁移率有明显提高，约为10-3cm2/Vs数量级，此时，空穴迁移率
