%0 Journal Article
%T Hole transport in polymer P3HT with different annealing temperatures<br>聚合物P3HT在不同退火温度下的空穴传输特性
%A Yin Li-Qin
%A Peng Jun-Biao
%A <br>尹丽琴
%A 彭俊彪
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 运用交流阻抗方法系统研究了单空穴注入型器件ITO/PEDOT/P3HT/Ag（P3HT：poly（3-hexylthiophene））在多种退火温度下的电容-频率变化关系，推算出样品中相应条件下的空穴迁移率，发现退火温度对空穴迁移率有明显影响，未经过退火的样品空穴迁移率为10-4cm2/Vs数量级，迁移率数值基本不随电场强度的改变而变化，退火后样品的空穴迁移率有明显提高，约为10-3cm2/Vs数量级，此时，空穴迁移率
%K 空穴迁移率，聚合物，电容-频率特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=9827914AE0A6B892739836FE2BB10CC5&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=94C357A881DFC066&sid=F7F2650D084E9FCE&eid=459AFAC3A6559BAF&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0