Influence of Ta and TaN bottom electrodes on electrical performances of MIM capacitors with atomic-layer-deposited HfO2 dielectric
Ta和TaN底电极对原子层淀积HfO2介质MIM电性能的影响

以Ta，TaN为衬底，采用原子层淀积方法制备高介电常数HfO2介质，比较研究了不同衬底电极对金属-绝缘体-金属（MIM）电容的性能影响.结果表明，采用TaN底电极能够获得较高的电容密度和较小的电容电压系数（VCC），在1MHz下的其电容密度为7.47fF/μm2，VCC为356ppm/V2和493ppm/V，这归因于TaN底电极与HfO2介质之间良好的界面特性.两种电容在3?V时漏电流为5×10-8