%0 Journal Article
%T Influence of Ta and TaN bottom electrodes on electrical performances of MIM capacitors with atomic-layer-deposited HfO2 dielectric<br>Ta和TaN底电极对原子层淀积HfO2介质MIM电性能的影响
%A Xu Jun
%A Huang Yu-Jian
%A Ding Shi-Jin
%A Zhang Wei
%A <br>许军
%A 黄宇健
%A 丁士进
%A 张卫
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 以Ta，TaN为衬底，采用原子层淀积方法制备高介电常数HfO2介质，比较研究了不同衬底电极对金属-绝缘体-金属（MIM）电容的性能影响.结果表明，采用TaN底电极能够获得较高的电容密度和较小的电容电压系数（VCC），在1MHz下的其电容密度为7.47fF/μm2，VCC为356ppm/V2和493ppm/V，这归因于TaN底电极与HfO2介质之间良好的界面特性.两种电容在3?V时漏电流为5×10-8
%K 高介电常数，
%K MIM电容，
%K HfO2薄膜，
%K 电极
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=2F72F44DEEB3E92C2A28985F12E20623&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=94C357A881DFC066&sid=BCF912B124DE56E6&eid=550CCE4190D0A25C&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0