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物理学报 2009
Mid-infrared photoluminescence of PbSe/PbSrSe multiple quantum wells grown by molecular beam epitaxy
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Abstract:
研究了分子束外延技术生长的PbSe/PbSrSe多量子阱结构的中红外光致荧光现象.高分辨率X射线衍射（HRXRD）谱观察到了多量子阱所特有的多级卫星峰，表明量子阱界面陡峭.变温光致荧光谱测量显示量子阱结构对电子空穴有强的限制效应，在相同温度下，量子阱样品的荧光峰峰位相对PbSe体材料有一定的蓝移.发现量子阱样品的荧光强度同温度有关，温度从150 K上升到230 K时，荧光强度逐渐增大，温度继续升高，荧光强度缓慢下降，但在高于室温时，仍能观察到较强的荧光发射，这说明该量子阱结构材料具有应用于室温工作的中红外
