%0 Journal Article
%T Mid-infrared photoluminescence of PbSe/PbSrSe multiple quantum wells grown by molecular beam epitaxy<br>MBE生长PbSe/PbSrSe量子阱结构的光致中红外发光的研究
%A Cai Chun-Feng
%A Wu Hui-Zhen
%A Si Jian-Xiao
%A Sun Yan
%A Dai Ning
%A <br>蔡春锋
%A 吴惠桢
%A 斯剑霄
%A 孙艳
%A 戴宁
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 研究了分子束外延技术生长的PbSe/PbSrSe多量子阱结构的中红外光致荧光现象.高分辨率X射线衍射（HRXRD）谱观察到了多量子阱所特有的多级卫星峰，表明量子阱界面陡峭.变温光致荧光谱测量显示量子阱结构对电子空穴有强的限制效应，在相同温度下，量子阱样品的荧光峰峰位相对PbSe体材料有一定的蓝移.发现量子阱样品的荧光强度同温度有关，温度从150 K上升到230 K时，荧光强度逐渐增大，温度继续升高，荧光强度缓慢下降，但在高于室温时，仍能观察到较强的荧光发射，这说明该量子阱结构材料具有应用于室温工作的中红外
%K PbSe/PbSrSe multiple quantum wells
%K mid-infrared photoluminescence
%K high resolution X-ray diffraction<br>PbSe/PbSrSe多层量子阱（MQWs），
%K 光致中红外荧光，
%K 高分辨X射线衍射（HRXRD）
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=2CB37E3A4356DF06039EDEEB2C0E687D&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=94C357A881DFC066&sid=A39472E6EFB206CB&eid=C9BA1E5BD83742D9&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0