Influence of pillar-and hole-patterned sapphire substrates on MOVPE grown GaN bulk and LED structures
柱状与孔状图形衬底对MOVPE生长GaN体材料及LED器件的影响

在柱状图形蓝宝石衬底（PSS-p）和孔状图形蓝宝石衬底（PSS-h）上外延了GaN体材料和LED结构并进行了详细对比和分析.X射线衍射仪（XRD）和原子力显微镜（AFM）测试结果表明，PSS-h上体材料的晶体质量和表面形貌都优于PSS-p上体材料的特性，通过断面扫面电子显微镜（SEM）照片看出PSS-h上GaN的侧向生长是导致这种差异的原因.另外，基于PSS-p和PSS-h上外延的LED材料制作而成的器件结果表明，其20?mA下光功率水平相比普通蓝宝石衬底（CSS）分别提高了46%和33%.通过变温光荧光