%0 Journal Article
%T Influence of pillar-and hole-patterned sapphire substrates on MOVPE grown GaN bulk and LED structures<br>柱状与孔状图形衬底对MOVPE生长GaN体材料及LED器件的影响
%A Jiang Yang
%A Luo Yi
%A Wang Lai
%A Li Hong-Tao
%A Xi Guang-Yi
%A Zhao Wei
%A Han Yan-Jun
%A <br>江洋
%A 罗毅
%A 汪莱
%A 李洪涛
%A 席光义
%A 赵维
%A 韩彦军
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 在柱状图形蓝宝石衬底（PSS-p）和孔状图形蓝宝石衬底（PSS-h）上外延了GaN体材料和LED结构并进行了详细对比和分析.X射线衍射仪（XRD）和原子力显微镜（AFM）测试结果表明，PSS-h上体材料的晶体质量和表面形貌都优于PSS-p上体材料的特性，通过断面扫面电子显微镜（SEM）照片看出PSS-h上GaN的侧向生长是导致这种差异的原因.另外，基于PSS-p和PSS-h上外延的LED材料制作而成的器件结果表明，其20?mA下光功率水平相比普通蓝宝石衬底（CSS）分别提高了46%和33%.通过变温光荧光
%K patterned sapphire substrate
%K GaN
%K LED
%K lateral growth<br>蓝宝石图形衬底，
%K 氮化镓，
%K 发光二极管，
%K 侧向生长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6e709dc38fa1d09a4b578dd0906875b5b44d4d294832bb8e&cid=47ea7cfddebb28e0&jid=29df2cb55ef687e7efa80dfd4b978260&aid=37932636d3dae2c442d227d66cf1418c&yid=de12191fbd62783c&vid=9ffcc7af50caebf7&iid=94c357a881dfc066&sid=16dcdbe21d0f57d9&eid=2c56b98b0e5fe315&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=0