First-principles calculation of CdS electronic structure doped with Mg and Cu
Mg，Cu 掺杂CdS电子结构的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理的平面波超软赝势方法，对闪锌矿结构CdS晶体及CdS:M（M=Mg, Cu）的几何结构、能带结构、电子态密度、集聚数和电荷密度分布进行了研究.对掺杂后体系的几何结构进行了优化计算，发现Mg和Cu原子掺入CdS后晶格常量均减少，晶格发生畸变.在此基础上研究了掺杂对体系电子结构的影响.结果表明，Mg，Cu掺入CdS都能提供较多空穴态，形成p型电导，并且Cu较Mg是更好的p型掺杂剂.