%0 Journal Article
%T First-principles calculation of CdS electronic structure doped with Mg and Cu<br>Mg，Cu 掺杂CdS电子结构的第一性原理研究
%A Dang Sui-Hu
%A Li Chun-Xia
%A Han Pei-De
%A <br>党随虎
%A 李春霞
%A 韩培德
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理的平面波超软赝势方法，对闪锌矿结构CdS晶体及CdS:M（M=Mg, Cu）的几何结构、能带结构、电子态密度、集聚数和电荷密度分布进行了研究.对掺杂后体系的几何结构进行了优化计算，发现Mg和Cu原子掺入CdS后晶格常量均减少，晶格发生畸变.在此基础上研究了掺杂对体系电子结构的影响.结果表明，Mg，Cu掺入CdS都能提供较多空穴态，形成p型电导，并且Cu较Mg是更好的p型掺杂剂.
%K density functional theory
%K electronic structure
%K p-type doping<br>密度泛函理论，
%K 电子结构，
%K p型掺杂
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=DD2DBCF703E1C86EC35088FBF4FE62A8&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=B31275AF3241DB2D&sid=ECD93AFA1AA9E157&eid=6F4EA96A1A1FAD1E&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0