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ISSN: 2333-9721
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物理学报  2007 

Electronic and optical properties of CuInSe2 from ab-initio calculations
CuInSe2电子结构与光学性质的第一性原理计算

Keywords: semiconductor,CIS,DFT,photo-electron convection,solar energy materials
半导体,
,CIS,,密度泛函理论,,光电转换,,太阳能材料

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Abstract:

从头计算了CuInSe2(CIS)体相的性质,参数设定和性质计算都基于密度泛函理论,交换相关能采用GGA,泛函形式为PBE,原子间相互作用的描述采用超软赝势.计算发现CIS中存在共价键,是一种非典型的离子型晶体,在整个晶体内存在共用电子对,Cu原子和Se原子的作用大于Se原子和In原子.CIS是一种典型的直接带隙半导体,计算得到了光学性质的各项参数,包括折射指数和反射率,吸收系数以及介电函数与光子能量的关系,发现CIS的主要光吸收峰有6个,分别为:3.1,7.6,10.0,16.1,19.0,21.0eV,理论上最强吸收峰在紫外光区.

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