%0 Journal Article
%T Electronic and optical properties of CuInSe2 from ab-initio calculations<br>CuInSe2电子结构与光学性质的第一性原理计算
%A Feng Jing
%A Xiao Bing
%A Chen Jing-Chao
%A <br>冯 晶
%A 肖 冰
%A 陈敬超
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 从头计算了CuInSe2(CIS)体相的性质，参数设定和性质计算都基于密度泛函理论，交换相关能采用GGA，泛函形式为PBE，原子间相互作用的描述采用超软赝势.计算发现CIS中存在共价键，是一种非典型的离子型晶体，在整个晶体内存在共用电子对，Cu原子和Se原子的作用大于Se原子和In原子.CIS是一种典型的直接带隙半导体，计算得到了光学性质的各项参数，包括折射指数和反射率，吸收系数以及介电函数与光子能量的关系，发现CIS的主要光吸收峰有6个，分别为：3.1，7.6，10.0，16.1，19.0，21.0eV，理论上最强吸收峰在紫外光区.
%K semiconductor
%K CIS
%K DFT
%K photo-electron convection
%K solar energy materials<br>半导体，
%K CIS，
%K 密度泛函理论，
%K 光电转换，
%K 太阳能材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=ABC938027EB1D981&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=77CF123698594D7F&eid=39762E3656E6EDAA&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=14