Fabrication of high voltage thyristor based on silicon organic compounds and metal oxides type isolation protective material
有机硅化合物-金属氧化物绝缘保护材料在制造高压晶闸管中的应用研究

采用高纯有机硅化合物和金属氧化物,按比例均匀混合制成糊状材料,涂敷于器件台表面,用于半导体p-n结表面特性的控制和保护.固化后该材料在室温下的体电阻率大于7.5×1015Ω·cm,介电常数为4.7,击穿电压高于16 kV/mm.该材料用于KP500型晶闸管表面保护,能明显改善器件的表面特性、减少漏电流和提高耐压水平，并对提高器件性能的机理进行了研究.