%0 Journal Article
%T Fabrication of high voltage thyristor based on silicon organic compounds and metal oxides type isolation protective material<br>有机硅化合物-金属氧化物绝缘保护材料在制造高压晶闸管中的应用研究
%A Liu Xiu-Xi
%A Wang Gong-Tang
%A <br>刘秀喜
%A 王公堂
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 采用高纯有机硅化合物和金属氧化物,按比例均匀混合制成糊状材料,涂敷于器件台表面,用于半导体p-n结表面特性的控制和保护.固化后该材料在室温下的体电阻率大于7.5×1015Ω·cm,介电常数为4.7,击穿电压高于16 kV/mm.该材料用于KP500型晶闸管表面保护,能明显改善器件的表面特性、减少漏电流和提高耐压水平，并对提高器件性能的机理进行了研究.
%K isolation protective material
%K performance
%K thyristor
%K mechanism<br>绝缘保护材料
%K 性能
%K 晶闸管
%K 机理
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=B18D6CA8E84CDD2CA3268332091D0BCC&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=39E48869A719B9DE&eid=28B3EB92D5061EA4&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=8