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物理学报 2008
A new analytical model of breakdown voltage for the SD LDMOS
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Abstract:
提出表面阶梯掺杂(SD：Step Doping on surface)LDMOS的二维击穿电压模型.基于求解多区二维Poisson方程，获得SD结构表面电场的解析式.借助此模型，研究其结构参数对击穿电压的影响；计算优化漂移区浓度和厚度与结构参数的关系，给出获得最大击穿电压的途径.数值结果，解析结果和试验结果符合较好.漂移区各区和衬底电场相互调制，在漂移区中部产生新的峰值，改善电场分布；高掺杂区位于表面，降低了正向导通电阻.结果表明：SD结构较常规结构击穿电压从192V提高到242V，导通电阻下降33%.
