%0 Journal Article
%T A new analytical model of breakdown voltage for the SD LDMOS<br>漂移区表面阶梯掺杂LDMOS的击穿电压模型
%A Li Qi
%A Zhang Bo
%A Li Zhao-Ji
%A <br>李 琦
%A 张 波
%A 李肇基
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 提出表面阶梯掺杂(SD：Step Doping on surface)LDMOS的二维击穿电压模型.基于求解多区二维Poisson方程，获得SD结构表面电场的解析式.借助此模型，研究其结构参数对击穿电压的影响；计算优化漂移区浓度和厚度与结构参数的关系，给出获得最大击穿电压的途径.数值结果，解析结果和试验结果符合较好.漂移区各区和衬底电场相互调制，在漂移区中部产生新的峰值，改善电场分布；高掺杂区位于表面，降低了正向导通电阻.结果表明：SD结构较常规结构击穿电压从192V提高到242V，导通电阻下降33%.
%K 阶梯掺杂，
%K 模型，
%K 优化，
%K 调制
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=41B3784300FD3B7AEE0EC19C6585D769&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=38B194292C032A66&sid=E7AA5D9F9796332E&eid=8E33296F097354F4&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=15