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物理学报 2008
Study of AlGaN/GaN MOSHEMT device with Al2O3 insulating film
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Abstract:
在研制AlGaN/GaN HEMT器件的基础上，采用ALD法制备了Al2O3 AlGaN/GaN MOSHEMT器件.通过X射线光电子能谱测试表明在AlGaN/GaN异质结材料上成功淀积了Al2O3薄膜.根据对HEMT和MOSHEMT器件肖特基电容、器件输出以及转移特性的测试进行分析发现：所制备的Al2O3薄膜与AlGaN外延层间界面态密度较小，因而MOSHEMT器件呈现出较
