%0 Journal Article
%T Study of AlGaN/GaN MOSHEMT device with Al2O3 insulating film<br>Al2O3绝缘层的AlGaN/GaN MOSHEMT器件研究
%A Feng Qian
%A Hao Yue
%A Yue Yuan-Zheng
%A <br>冯 倩
%A 郝 跃
%A 岳远征
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 在研制AlGaN/GaN HEMT器件的基础上，采用ALD法制备了Al2O3 AlGaN/GaN MOSHEMT器件.通过X射线光电子能谱测试表明在AlGaN/GaN异质结材料上成功淀积了Al2O3薄膜.根据对HEMT和MOSHEMT器件肖特基电容、器件输出以及转移特性的测试进行分析发现：所制备的Al2O3薄膜与AlGaN外延层间界面态密度较小，因而MOSHEMT器件呈现出较
%K Al2O3，
%K ALD，
%K GaN，
%K MOSHEMT
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=2B7077732FAFF8C82762BD7672CAC603&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=38B194292C032A66&sid=0BEF78F5D55A0862&eid=58826BCD25BE3ED6&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=9