Investigation of filling factor in In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum wells with two occupied subbands
两个子带占据的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中填充因子的变化规律

研究了低温(15K)和强磁场(0—13T)条件下， InP基In053Ga047As/In052Al048As量子阱中电子占据两个子带时填充因子随磁场的变化规律.结果表明，在电子自旋分裂能远小于朗道能级展宽的情况下，如果两个子带分裂能是朗道分裂能的整数倍时，即ΔE21=kωc(其中k为整数)，填充因子为偶数；当两个子带分裂能为朗道分裂能的半奇数倍时，即ΔE21=(2k+1)ωc/2，填充因子出现奇数.