Study on the mechanical properties of diamond like carbon films with Si doping
掺硅类金刚石膜的制备与力学性能研究

用脉冲电弧离子镀技术，通过调整掺硅石墨靶和纯石墨靶的数量，制备了一系列不同硅含量的类金刚石薄膜样品.研究发现：当硅含量达6.7at.%时，类金刚石薄膜的应力从4.5GPa降低到3.1GPa，薄膜的硬度还保持在3600Hv，和没有掺杂的类金刚石薄膜的硬度相比，基本保持不变；当硅含量小于6.7at.％时薄膜的摩擦系数相对于未掺杂的类金刚石薄膜也保持不变，为0.15.当薄膜中硅含量继续增加时，薄膜中C—Si键的含量增多，导致薄膜硬度和应力都有较大幅度地减小、摩擦系数增大、磨损性能也变差了.